三安集成于 2025年10月16日 通過美通社發(fā)布新聞稿《三安集成新一代砷化鎵射頻工藝 加速高頻應用商業(yè)化》。請注意， 原文最后一段第一句里的“部署砷化鎵6寸晶圓產能每月21,000片”表述有誤，正確的表述應為：“部署砷化鎵6寸晶圓產能每月18,000片”。特此更正，正確的全文如下：

三安集成新一代砷化鎵射頻工藝 加速高頻應用商業(yè)化

廈門2025年10月16日 /美通社/ -- 5G-Advance自2023年末在Release-18中被首次引入后，持續(xù)牽引行業(yè)提升大規(guī)模MIMO、超低時延、海量鏈接等高階通信能力，為實現(xiàn)2030年的6G商業(yè)化規(guī)劃奠定基礎，也驅動了射頻前端市場的發(fā)展。據(jù)Yole測算，射頻前端市場將在2030年增長到697億美元。

演進過程中催生的高性能模組和新頻段需求既是市場增長點也是全新的挑戰(zhàn)。為減小尺寸、提高系統(tǒng)效率，射頻前端模組必須進一步向高集成化發(fā)展，而集成化也同時帶來穩(wěn)定性和設計難度的考驗；頻段不斷上探以及不同國家和地區(qū)的部署方案差異，也對射頻功放的輸出效率以及天線調諧提出更苛刻的要求。

射頻前端設計公司持續(xù)投入研發(fā)，在射頻架構和模組設計方面嘗試攻克上述挑戰(zhàn)。三安集成（三安光電子公司）也通過在制造工藝端的迭代，為設計公司提供支持和解決方案。

在射頻芯片工藝中，砷化鎵射頻（GaAs RF）芯片工藝是關鍵技術之一，主流的工藝路線有HBT（雙極型異質結三極管）與pHEMT（贗調高遷移率晶體管）。GaAs HBT以其獨特的垂直結構，允許較小的基極電流引導較大的集電極電流，實現(xiàn)優(yōu)異的放大效率。

三安集成針對客戶需求，推出0.4μm Ledge GaAs HBT工藝H10HP56，實現(xiàn)更高的工作頻率，使器件在C波段范圍內的高功率應用需求，并著重在智能手機、Wi-Fi 7、衛(wèi)星通信等領域提供優(yōu)越的放大效率和頑健性。

• H10HP56采用三安集成自研InGaP材料外延，在實現(xiàn)較高電流增益的情況下，減小基極電阻，從而實現(xiàn)較高的工作頻率；
• 順應射頻前端模組高集成度趨勢，該工藝全面適配銅柱倒裝工藝，實現(xiàn)更小的芯片封裝面積和散熱效率，提升系統(tǒng)的可靠性；

該工藝自2024年底推出，已完成在戰(zhàn)略客戶項目中的先導量產，預計于第四季度實現(xiàn)大規(guī)模量產，此舉將顯著加速高集成度旗艦級前端模組、衛(wèi)星通訊、車載無線TGU及無人機等新興終端應用設備的商業(yè)化進程。

三安集成在射頻前端芯片代工領域持續(xù)投入工藝研發(fā)，是極少數(shù)具備自主研發(fā)外延能力的代工廠，自研外延已覆蓋全線工藝，部署砷化鎵6寸晶圓產能每月18,000片，根據(jù)Morgan Stanley分析數(shù)據(jù)，2025年上半年，三安階段出貨已來到全球第二位。公司將持續(xù)為客戶帶來有競爭力的代工解決方案，成為全球射頻供應鏈發(fā)展的重要合作伙伴。